福维科新材料科技发展（山东）有限公司——高端六方氮化硼陶瓷制品领航者

福维科新材料科技发展（山东）有限公司——高端六方氮化硼陶瓷制品领航者

一、企业概述 

福维科新材料科技发展（山东）有限公司植根“科圣”墨子、“百工圣祖”鲁班故里——山 

东滕州，是一家以高端新材料研发与制造为核心的企业，专注于高端六方氮 

化硼（h-BN）粉体及陶瓷材料的研发、生产与销售，致力于为全球高端制造领域提供 

核心材料解决方案。 

公司依托深厚的工匠基因与前沿的技术积淀，以产学研一体化模式深耕材料科学与陶 

瓷工程领域，联合高等院校与科研机构攻关核心技术难题。在硬件布局上，一期投资 

6000 万元建成 10000 ㎡标准化厂房及 3000 ㎡研发办公楼，形成年产 500 吨高端六方 

氮化硼粉体及陶瓷制品的规模化产能，配套的 CNAS 实验室为产品品质提供权威检测 

与保障。公司构建了覆盖“粉体-制品-定制方案”的完整产品矩阵，产品性能对标国 

际品牌，导热系数、绝缘电阻、耐高温上限等关键指标均达到国际先进水平，有效打 

破进口依赖，广泛服务于半导体、新能源光伏、航空航天、冶金、化工等高端制造领 

域，为国产化进程注入核心动力。 

公司秉承信诺而达的宗旨，以品质立信于市场，以创新提升生产效率，以 

开放合作拓展应用边界，朝着“打造全球氮化硼品质基地，携手行业伙伴共塑先进陶瓷 

未来”的愿景稳步迈进。 

二、核心产品：六方氮化硼陶瓷制品 

六方氮化硼（h-BN）陶瓷作为一种具有优异综合性能的先进结构陶瓷材料，其独特的 

层状晶体结构赋予了材料卓越的高温稳定性、优良的导热性、优异的电绝缘性，化学惰性以及低摩擦自润滑特性，是极端工况下核心部件的理想材料选择。福维科基于自主研发的高端六方氮化硼粉体原料，通过精确配方设计与先进的成型、烧结 工艺，制备的六方氮化硼陶瓷制品在纯度控制、性能均一性及尺寸精度上实现把控，可根据客户需求提供定制化产品解决方案。 

核心性能参数（典型值）：• 

耐高温性：在氮气/氩气气氛中耐热温度可达 2800℃，中性还原气氛中可达 2000℃，无明显熔点，有氧气氛中 950℃持续稳定； 

导热性能：室温热导率≥50W/(m·K)，600℃以上热导率优于多数电绝缘体，1000℃时垂直 c 轴方向热导率约 27W/(m·K)； 

绝缘性能：室温电阻率 10¹⁶~10¹⁸Ω·cm，1000℃时仍保持 10¹⁶~10¹⁸Ω·cm，击穿 电压 30~40kV/mm，介电常数 3~5，介电损耗(2~8)×10⁻ ⁴； 化学稳定性：不溶于冷水，对无机酸、碱、盐溶液及有机溶剂具有优异抗腐蚀 

性，与多数金属和玻璃高温熔体不润湿、不反应； 抗热冲击性：1000℃高温保温 20min 后急冷至室温，反复循环数百次仍无开裂破 坏； 纯度：高纯度品级 BN 含量≥99.9%，低杂质含量确保下游产品纯度要求。 

三、关键应用领域技术方案 

（一）光伏单晶硅、多晶硅制备领域 

在光伏单晶硅、多晶硅制备的晶体生长、拉晶、铸锭等高温工艺环节，核心需求是保 

障高温环境的稳定性、绝缘性及低污染性，从而确保晶体生长的质量与纯度。福维科 

六方氮化硼陶瓷制品凭借其优异的耐高温、低污染及化学惰性特性，为光伏晶体制备 

提供全流程核心部件支撑，有效提升能源利用效率与产品合格率。 

1. 绝缘隔热部件 

包括电极保护套管、垫板、密封环、隔热罩等核心部件。依托材料极低的热膨胀系数 

[(2.5~4)×10⁻ ⁶K⁻ ¹]与优异的隔热性能，可有效阻隔高温传导，减少晶体生长炉内的 

热量损失，显著提升能源利用效率；同时，其高温绝缘性可避免电极短路等隐 

患，保护炉体设备免受高温侵蚀，延长设备使用寿命。产品尺寸精度可达±0.02mm， 

适配不同型号的拉晶炉、铸锭炉设备需求。 

2. 高温盛装器皿 

专为盛装高温熔融硅料设计，采用高纯度（BN≥99.9%）六方氮化硼陶瓷原料制备， 

具备化学惰性与高温稳定性。在 1600℃以上的硅料熔融环境中，不与硅熔体发 

生反应，不释放杂质离子，可从源头避免硅料污染，确保单晶硅、多晶硅产品的纯度 

（电子级硅料纯度可达 99.9999999%以上）与晶体完整性，降低晶体缺陷率。 

3. 高温支撑部件涵盖坩埚支架、托架等关键承载部件。材料在高温环境下（≥1800℃）仍保持优异的 

结构稳定性与机械强度，可稳定支撑熔融硅料坩埚及其他高温部件，避免因高温蠕变 导致的部件变形或坍塌，保障晶体生长过程的连续性。产品表面经过精密研 磨处理，摩擦系数低，可减少与坩埚的接触损伤。 

4. 工艺控制喷嘴 

应用于晶体生长过程中的原料添加与气体喷射控制，具备流道设计与优异的高 

温稳定性。在高温、高压气流环境下，材料不发生氧化或腐蚀，可确保气流喷射的均 

匀性与稳定性，控制晶体生长速率与组分均匀性；同时，其化学惰性可避免喷嘴 

材料与反应气体发生反应，保障工艺环境的洁净度。 

5. 蒸发舟 

用于光伏薄膜沉积工艺中的蒸发源制作，采用改性六方氮化硼陶瓷材料制备，具备均 匀的蒸发面与优异的热传导均匀性。在高温蒸发过程中，可实现沉积材料的均匀蒸发与成膜，确保光伏薄膜的厚度均匀性（偏差≤±5%）与光电转换效率，适用于非晶硅、 

碲化镉等薄膜光伏电池的制备工艺。 

（二）半导体行业领域 

半导体芯片制造对材料的纯度、性能稳定性及尺寸精度要求极为严苛，福维科六方氮 

化硼陶瓷制品凭借其全维度的优异性能，广泛应用于晶体生长、薄膜制备、半导体制 

造设备、封装与散热等核心环节，为芯片的高性能与高可靠性提供关键材料支撑。 

1. 半导体晶体生长核心部件 

专用坩埚：针对砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等化合物半 导体晶体的制备需求，定制开发高纯度六方氮化硼陶瓷坩埚。材料纯度达 99.99%以上，可有效避免杂质污染，确保化合物半导体晶体的电学性能与结晶质量；在高温熔融（≥1400℃）与冷却过程中，坩埚尺寸稳定性优异，无开裂或变形，适配 Bridgman 法、CZ 法等多种晶体生长工艺。 薄膜生长支撑部件：在分子束外延（MBE）、金属有机化学气相沉积 （MOCVD）等薄膜生长技术中，用于制作衬底托架、加热器等部件。材料具备热稳定性与电绝缘性，可在超高真空、高温环境下维持稳定的温度场分布，确保薄膜 生长的均匀性与结晶质量；其低放气率特性可保障真空环境的洁净度，避免对薄膜生长过程造成污染。 

2. 半导体制造设备部件

晶圆传输部件：包括晶圆传输机械手、晶圆夹具等，采用低摩擦系数（≤0.1）的 六方氮化硼陶瓷材料制备，具备自润滑特性。在晶圆传输过程中，可有效减少与晶圆表面的摩擦损伤，避免晶圆划伤；同时，材料的化学惰性可防止对晶圆表面造成污 染，保障晶圆的洁净度，适配 8 英寸、12 英寸等大尺寸晶圆的传输需求。 真空腔体部件：用于半导体制造超高真空腔体的绝缘垫板、密封件等部件。材料在超高真空（≤10⁻ ⁸Pa）、高温环境下具备极低的放气率与优异的稳定性，无油润滑特性可避免润滑油对真空环境的污染；其优异的密封性能与绝缘性能可保障真空腔体 的密封性与设备的运行安全性，适配刻蚀、沉积等核心工艺设备。 

高温加热元件：包括加热管、加热板等，依托材料优异的导热性与电绝缘性，可实现均匀加热（温度偏差≤±2℃），同时避免高温下的电击穿隐患，材料的高温稳定性 可确保加热元件长期稳定运行延长使用寿命，适配半导体制造过程中的退火、扩散等高温工艺。 

3. 封装与散热部件 

导热绝缘基板：作为半导体芯片的核心封装基板，采用高导热六方氮化硼陶瓷材 料制备，热导率可达 60W/(m·K)以上。可高效传导芯片工作过程中产生的热量，同时具备优异的电绝缘性，防止芯片与基板之间发生电短路，显著提升封装的可靠性与散热效率，适配高功率芯片的封装需求。 高效散热部件：包括散热片、散热管等，利用材料优异的横向导热性能，可快速将芯片产生的局部热点热量沿横向传导扩散，降低芯片工作温度（降温幅度可达 15~25℃），提升芯片的运行稳定性与使用寿命，适用于 CPU、GPU 等高性能半导体 器件的散热解决方案。 

（三）镀膜行业领域 

在真空镀膜、等离子镀膜等高端镀膜工艺中，核心需求是保障高温镀膜环境的稳定性、绝缘性及镀膜层的纯净度，避免杂质污染影响镀膜质量。福维科六方氮化硼陶瓷 制品凭借优异的高温稳定性、低放气率及化学惰性，适配多种镀膜工艺的极端工况，为镀膜设备核心部件提供可靠材料支撑，提升镀膜层的均匀性与性能稳定性。 

1. 镀膜腔体核心部件 

包括真空镀膜腔体内的绝缘垫板、屏蔽罩、支撑座等部件。材料在超高真空（≤10⁻ ⁸Pa）、高温（≤1800℃）环境下具备极低的放气率，可避免释放气体污染镀 膜环境；优异的电绝缘性可防止镀膜过程中产生的等离子体击穿部件，保障镀膜工艺 的稳定运行；其化学惰性不与镀膜材料发生反应，确保镀膜层的纯净度。产品表面粗 糙度≤0.8μm，适配不同规格的真空镀膜设备。

2. 蒸发/溅射源部件 

涵盖蒸发舟、溅射靶材支撑座、电子束轰击坩埚等核心部件。其中蒸发舟采用改性六 方氮化硼陶瓷制备，室温热导率≥50W/(m·K)，热传导均匀性偏差≤±3%，可实现镀膜材料（如金属、氧化物等）的均匀蒸发，保障镀膜层厚度均匀性（偏差≤±4%）；溅射靶材支撑座具备优异的高温结构稳定性在 1200℃以下可长期稳定承载，同时具备良好的隔热性能，避免高温传导至设备其他部件。 

3. 工艺辅助部件 

包括镀膜遮蔽板、导向喷嘴等部件。遮蔽板可精准控制镀膜区域，材料高温下无变形、无氧化，确保镀膜边界清晰；导向喷嘴用于镀膜气体或蒸汽的定向引导，流道精 度可达±0.03mm，依托材料优异的耐高温（惰性气氛下≤1800℃）与化学稳定性，可 保障气流导向的精准性与稳定性，提升镀膜层的附着力与致密度。 

（四）金属冶炼行业领域 

在钢铁、有色金属（铝、铜、镍基合金等）的熔融、浇铸、连铸等冶炼工艺中，核心 需求是抵御高温熔融金属的侵蚀、避免金属液污染，同时保障冶炼设备的隔热与绝缘 性能。福维科六方氮化硼陶瓷制品凭借与多数金属熔体不润湿、耐高温侵蚀及优异的 

隔热绝缘特性，为冶炼工艺核心部件提供耐磨、耐腐蚀解决方案，延长设备使用寿命，提升金属材料纯度。 

1. 熔融金属盛装与导流部件 

包括熔融金属坩埚、浇铸嘴、导流槽等部件。针对不同金属冶炼需求，定制开发专用 配方产品：用于铝、铜等有色金属冶炼的部件采用 BN-ZrO₂复合氮化硼陶瓷，莫氏硬度≥5，在 1600℃熔融金属环境下不被侵蚀、不润湿；用于镍基、钴基高温合金冶炼的部件采用 BN-ZrO₂-SiC 复合氮化硼陶瓷，常温抗压强度≥200MPa，高温（1800℃）下 仍保持良好的结构稳定性可有效避免金属液污染。 

2. 冶炼设备隔热绝缘部件 

涵盖冶炼炉隔热罩、电极保护套管、绝缘垫板等部件。材料热膨胀系数低至 (2.0~3.5)×10⁻ ⁶K⁻ ¹，1000℃高温保温 20min 后急冷至室温无开裂，可有效阻隔冶炼 炉内高温传导，减少热量损失，能源利用效率提升 15%以上；优异的高温绝缘性（1000℃时电阻率≥10¹⁶Ω·cm）可保护电极及电路系统，避免短路隐患，保障冶炼过 程的连续性。 

3. 连铸工艺核心部件包括连铸结晶器内衬、减压环、导向辊等部件。材料具备低摩擦系数（≤0.15）与自润 滑特性，可减少熔融金属与部件的摩擦阻力，避免金属坯料表面划伤；在高温、高压 连铸环境下，部件尺寸精度保持性优异（尺寸偏≤±0.05mm），可保障连铸坯料的尺 寸精度与表面质量，适配钢铁、有色金属的水平连铸、垂直连铸等工艺。 

（五）高端玻璃模具行业领域 

在高端光学玻璃（手机、汽车显屏）、药用玻璃、艺术玻璃等的热成型工艺中，核心 需求是模具具备优异的耐高温性、抗热冲击性及不粘性，避免玻璃与模具粘连，同时 保障玻璃制品的表面光洁度与尺寸精度。福维科六方氮化硼陶瓷制品凭借与玻璃熔体 

不润湿、优异的抗热冲击性及高温稳定性，适配玻璃热成型的极端工况，提升玻璃制 品质量与模具使用寿命。 

1. 高端玻璃成型模具本体 

采用热压烧结六方氮化硼陶瓷制备，根据不同玻璃成型需求定制模具型腔结构。材料 在氧化气氛下耐高温可达 1100℃，惰性气氛下可达 1800℃，完全适配玻璃热成型的 温度需求；与玻璃熔体的接触角≥120°，具备极佳的不粘性，可避免玻璃熔体粘连模 具，无需额外涂抹脱模剂，保障玻璃制品表面光洁度（粗糙度≤0.2μm）；优异的抗热 冲击性可承受 1000℃→室温的反复急冷急热循环，无开裂变形。 

2. 模具辅助隔热部件 

包括模具隔热套、定位垫板等部件。材料热导率低至 2~5W/(m·K)，可有效阻隔模具高温向设备其他部件传导，保护成型设备；热膨胀系数[(2.0~3.0)×10⁻ ⁶K⁻ ¹]与模具本体 匹配，避免温度变化导致的装配间隙变化，保障玻璃成型过程的尺寸稳定性。产品尺寸精度可达±0.02mm，适配不同规格的玻璃成型模具。 

3. 特殊成型工艺部件 

针对艺术玻璃、光学玻璃的特殊成型需求，开发定制化模具镶件、流道组件等部件。 材料具备良好的机加工性能，可精准加工复杂型腔结构；化学惰性不与玻璃熔体发生 反应，避免污染玻璃制品，确保光学玻璃的透光率与艺术玻璃的成型精度。适用于压延、吹制、浇注等多种高端玻璃成型工艺。 

四、技术优势与服务保障 

福维科凭借在六方氮化硼材料领域的深厚技术积淀，形成了三大核心技术优势：一是 核心原料自主可控，通过工艺制备的高端六方氮化硼粉体纯度高、粒径分布均 匀，为陶瓷制品的优异性能奠定基础；二是成型与烧结工艺先进，采用热压烧结、常压烧结等多种工艺路线，可精准调控产品的致密度与性能，适配不同应用场景需求； 三是精准定制能力，依托专业的研发团队与 CNAS 实验室，可根据客户的具体工况参 数、设备及性能要求，提供从材料配方设计到产品加工的全流程定制服务。 

在服务保障方面，公司建立了完善的质量控制体系，从原料采购、生产加工到成品检 测的每一个环节均实施严格的质量管控；配备专业的技术服务团队，为客户提供技术 咨询、产品选型、安装调试及售后维护等全周期服务，确保产品精准匹配客户需求， 助力客户提升生产效率与产品竞争力。 

五、联系信息 

公司地址：山东省枣庄市滕州市 联系电话：13963260899 13589637361